8단 적층보다 용량 50% 더 높여
상반기 양산 준비… 하반기 출시
“AI챗봇 확산… 빅테크 수요 기대”

SK하이닉스가 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓은 HBM3(4세대 고대역폭 메모리)를 개발했다.

이를 통해 현존 최고 용량인 24기가바이트(GB)를 구현하게 됐다. 기존 최대 용량이었던 8단 적층 HBM3(16GB)보다 용량을 50% 높인 것이다.

SK하이닉스는 상반기에 해당 제품의 양산 준비를 마무리하고 하반기부터 출시할 예정이라고 20일 밝혔다. 회사는 현재 샘플을 고객사에 보내 성능 검증을 받고 있다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품이라 생성형 인공지능(AI)에 필수적인 메모리다. SK하이닉스가 2013년 업계에서 처음 개발한 데 이어 지난해 6월에는 세계 최초로 HBM3 양산에도 성공한 바 있다.

회사는 빅테크 기업들의 AI 챗봇(대화형 로봇) 시장 경쟁이 치열해지면서 HBM에 대한 수요가 확대될 걸로 보고 있다. 최근 트렌드포스는 HBM 시장이 2025년까지 연평균 최대 45% 이상의 성장세를 이어 갈 것으로 전망하기도 했다.

홍상후 SK하이닉스 부사장(패키지·테스트 담당)은 “HBM3는 대량의 데이터를 신속히 처리하는 데 최적의 메모리로 평가받으며 빅테크 기업들의 수요가 점차 늘고 있다”며 “늘어나는 수요에 맞춰 하반기부터 신제품을 공급하며 최첨단 D램 시장의 주도권을 강화해 나가겠다”고 밝혔다.