SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정 적용 16Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 21일 발표했다.
단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산하는 메모리 총용량이 현존 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품에 비해 생산성이 약 27% 향상됐고, 초고가 극자외선(EUV) 노광 공정 없이도 생산이 가능해 원가 경쟁력을 갖췄다고 SK하이닉스는 밝혔다.
데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다.
D램개발사업 1z 태스크포스(TF)장 이정훈 담당은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라면서 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다.
홍희경 기자 saloo@seoul.co.kr
2019-10-22 21면
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SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정 적용 16Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 21일 발표했다.
