본격적 ‘20나노 D램 시대’ 열어

삼성전자는 20나노미터(nm·1나노미터는 10억분의1m) 공정을 적용한 6Gb(기가비트) LPDDR3 모바일 D램을 세계 최초로 본격 양산한다고 18일 밝혔다. 컴퓨터용 D램(올 3월)에 이어 모바일 D램까지 20나노 제품으로 양산해 본격적인 ‘20나노 D램 시대’를 열었다. 보통 한 달에 10만개 이상 생산되는 것이 양산이라고 한다. SK하이닉스, 마이크론 등 2~3위 업체들의 주력제품은 아직 28~30나노 공정 D램으로 알려졌다.

웨이퍼(반도체 원료인 실리콘 원판) 위 D램 칩 간의 간격이 줄어들수록 한 장에서 더 많은 칩을 뽑아낼 수 있으니 가격 경쟁력이 높아지고, 칩의 크기가 작아져 활용 범위는 커진다. 삼성전자 관계자는 “20나노 D램의 생산성은 25나노 D램보다 30%, 30나노 D램보다 100% 높다”고 설명했다. 이번 양산으로 삼성전자가 경쟁사들과의 회로 선폭 줄이기 기술력 격차를 기존 1년에서 1년 6개월로 벌렸다는 것이 업계 평가다.

삼성전자는 더 얇고, 더 작고, 더 빠른 3GB(기가바이트) D램 솔루션을 제공할 수 있게 됐다. 3GB 제품은 6Gb 모바일 D램 칩 4개를 합치는 방식으로 만들어져 주로 고사양 스마트폰에 탑재된다. 현재는 삼성전자 노트4, LG전자 G3 등이 3GB D램을 채택했다.

이런 기술력 격차에 힘입어 삼성전자의 글로벌 D램 시장 장악력은 최근 커지고 있다. 삼성전자의 D램 시장 점유율(매출 기준)은 지난해 2분기 31.9%에서 올 2분기 39.0%로 늘어났다. 이 기간 SK하이닉스(29.4→27.2%)와 마이크론(28.2→26.1%)의 점유율은 약간 줄었다.

김양진 기자 ky0295@seoul.co.kr