美서 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’ 개최…3나노 반도체 공정기술 팹리스에 공개

삼성전자가 2020년 이후 도입할 차세대 기술인 3나노 반도체 공정 기술을 팹리스(반도체 설계 회사)에 공개했다. 차세대 기술 생태계를 조성, 파운드리(반도체 위탁생산) 분야 우위를 점하기 위한 전략이다. 파운드리 세계 1위 업체인 타이완의 TSMC는 아직 3나노 반도체 공정 양산 로드맵을 밝히지 못했지만, 삼성전자의 3나노 양산 시점이 TSMC보다 1년 정도 앞설 것이란 관측이 나온다. 경쟁 기업에 월등히 앞서는 기술 우위를 바탕으로 시장을 선점하는 초격차 전략으로 삼성전자가 메모리 반도체 성공 신화를 쓴 데 이어 시스템 반도체 분야에서도 재현할지 주목된다.

삼성전자는 14일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’를 개최하고 ‘차세대 3나노 GAA 공정’을 소개한 뒤 관련 공정 키트(3GAE)를 팹리스 고객들에게 배포했다. 삼성 파운드리 포럼 2019는 6월 중국 상하이, 7월 서울, 9월 일본 도쿄, 10월 독일 뮌헨에서 열린다.

작은 칩에 많은 정보를 담을수록 반도체 성능이 좋은 것이기 때문에 반도체 기업들은 사이즈 축소 경쟁을 벌인다. 현재 삼성전자와 TSMC 모두 7나노 양산 단계인데, 이 크기가 3나노보다 작아지려면 제조 공정 자체가 바뀌어야 한다. 현재는 윗면, 앞면, 뒷면 등 3개면을 트랜지스터 게이트로 쓰는 ‘핀펫’ 기술이 활용됐다면 4~3나노 공정부터 적용할 GAA 기술은 3개면에 아랫면까지 4개면을 모두 활용하는 방식이다.

홍희경 기자 saloo@seoul.co.kr