처리 속도 1.6배 빨라

삼성전자가 세계 최초로 30나노급 D램 양산에 돌입했다. 이를 통해 1년 정도인 경쟁 업체와의 기술 격차를 더 늘려 세계 1위 메모리 반도체 업체로서의 시장지배력을 확고히 한다는 전략이다.

삼성전자는 이번 달부터 30나노급 2Gb(기가비트) DDR3(더블데이터레이트3) D램을 양산하기 시작했다고 21일 밝혔다. 지난 2월 삼성전자가 처음 개발한 30나노급 DDR3 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 생산성을 60% 가량 높일 수 있고, 50~60나노급 D램 대비 원가경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다고 회사 측은 설명했다.

특히 삼성전자는 30나노급 DDR3 D램의 데이터 처리속도로 PC용 제품으로는 최고인 초당 2133메가비트(Mbps)를 구현했다. 이는 1333Mbps인 기존 DDR3 D램에 비해 1.6배, DDR2 D램보다 3.5배 정도 속도가 빠르다. 아울러 경쟁 업체와의 기술 격차도 크게 벌리게 됐다. 현재 삼성전자의 주력 제품은 지난해 7월 양산하기 시작한 40나노급. 이마저도 하이닉스와 일본 엘피다 등 2개 업체만 작년 말이 되서야 생산을 시작했다. 삼성전자는 보다 업그레이드된 30나노급 메모리 제품을 시장에 내놓게 되는 셈이다.

이두걸기자 douzirl@seoul.co.kr